Çin merkezli bellek çipi üreticisi CXMT, beşinci nesil DRAM teknoloji platformunda seri üretime geçtiğini açıkladı.
Yeni platformda bellek hücrelerinin kritik yapıları arasındaki mesafe 11,95 nanometreye kadar indirildi. Şirket, yeni üretim teknolojisinin daha yüksek kapasiteli belleklerin daha düşük maliyet ve daha düşük enerji tüketimiyle üretilmesine imkân sağlayacağını belirtiyor.
CXMT aynı zamanda 24 Gb kapasiteli iki yeni LPDDR5X bellek çipini tanıttı. Şirketin açıklamasına göre bu ürünler, önceki eşdeğer ürünlere göre yüzde 50 daha fazla veri depolayabiliyor. Yeni platformda bir silikon wafer üzerinden elde edilebilecek çip sayısının da önceki nesle kıyasla yüzde 50’den fazla artırıldığı bildirildi.
Bu gelişme özellikle akıllı telefonlar, taşınabilir cihazlar ve yapay zekâ destekli elektronik sistemlerde kullanılan yüksek performanslı belleklere yönelik rekabet açısından dikkat çekiyor.
CXMT’nin hamlesi, küresel DRAM pazarında uzun süredir güçlü konumda bulunan üreticilere karşı Çin’in yerli çip teknolojisini geliştirme çabasının yeni aşamalarından biri olarak değerlendiriliyor. Ancak şirketin açıkladığı üretim verileri arasında nihai verim oranı ve aylık üretim miktarı gibi bazı ayrıntılar henüz paylaşılmış değil.
HABER BALİNASI | Mustafa Camuzcu
